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西电主办IEEE-EDS 纳米CMOS技术国际学术会议

时间:2012/10/31 00:00:00 作者: 点击数:

  西电新闻网讯(通讯员 张鹏 王禛)10月28日,2012年IEEE-EDS纳米CMOS技术学术研讨会(WIMNACT34)在北校区图书馆报告厅召开。副校长郝跃出席会议。

  

  研讨会上,9位来自世界各地的著名微电子专家,围绕半导体技术可靠性研究和新型半导体材料的最新进展做特邀报告,报告内容紧跟国际前沿,具有较强的实践意义。与会师生围绕报告内容进行了深入研讨。此次会议促进了国内微电子领域与国际同行的学术交流,扩大了西电在该领域的影响力,对西电微电子学科的发展起到积极的推动作用。

 

  来自美国中佛罗里达大学“飞马杰出”教授、长江学者讲座教授、台湾台北科技大学名誉教授Juin J.Liou,美国耶鲁大学T.P.Ma教授,新加坡南洋理工大学电子电气工程学院Xing Zhou教授,IEEE 会员Cor Claeys教授,香港科技大学Mansun Chan教授,IEEE 会员Steve S.Chung,台湾交通大学Albert Chin教授,台湾高雄大学工学院Yeh,Wen-Kuan教授,澳大利亚格里菲斯大学昆士兰微米和纳米技术中心 Jisheng Han教授等作大会报告。

 

  出席研讨会的有省内其他高校和研究所的专家,以及IEEE EDS西安分会的部分专家,300余名西电师生参加了研讨。会议由IEEE EDS西安分会、我校微电子学院国家学科创新引智基地和宽禁带半导体技术国防重点学科实验室共同主办。(完)

 

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